Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.
EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Hejmara Part
EPC2012
Çêker/Brand
Doranî
eGaN®
Rewşa Part
Discontinued at Digi-Key
Packaging
Tape & Reel (TR)
Teknolocî
GaNFET (Gallium Nitride)
Germahiya xebitandinê
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Pakêt / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Belavkirina hêzê (Max)
-
Tîpa FET
N-Channel
Taybetmendiya FET
-
Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)
200V
Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds
145pF @ 100V
Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)
5V
Vgs (Max)
+6V, -5V
Daxwaza Quote
Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.
Ez bêzarim 33217 PCS
Agahiyên Têkilî
Berhemên Têkildar
Keywords of EPC2012
EPC2012 pêkhateyên elektronîk
EPC2012 Sales
EPC2012 Şandevan
EPC2012 Distributor
EPC2012 Tabloya daneyan
EPC2012 Photos
EPC2012 Biha
EPC2012 Pêşnîyar
EPC2012 Bihayê herî kêm
EPC2012 Gerr
EPC2012 Kirîn
EPC2012 Berdan