Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.
IXFR32N100P

IXFR32N100P

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Hejmara Part
IXFR32N100P
Çêker/Brand
Doranî
HiPerFET™, PolarP2™
Rewşa Part
Active
Packaging
Tube
Teknolocî
MOSFET (Metal Oxide)
Germahiya xebitandinê
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Pakêt / Case
ISOPLUS247™
Supplier Device Package
ISOPLUS247™
Belavkirina hêzê (Max)
320W (Tc)
Tîpa FET
N-Channel
Taybetmendiya FET
-
Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)
1000V
Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 25V
Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)
10V
Vgs (Max)
±30V
Daxwaza Quote
Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.
Ez bêzarim 40849 PCS
Agahiyên Têkilî
Keywords of IXFR32N100P
IXFR32N100P pêkhateyên elektronîk
IXFR32N100P Sales
IXFR32N100P Şandevan
IXFR32N100P Distributor
IXFR32N100P Tabloya daneyan
IXFR32N100P Photos
IXFR32N100P Biha
IXFR32N100P Pêşnîyar
IXFR32N100P Bihayê herî kêm
IXFR32N100P Gerr
IXFR32N100P Kirîn
IXFR32N100P Berdan