Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.
IXTH3N100P

IXTH3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
Hejmara Part
IXTH3N100P
Çêker/Brand
Doranî
PolarVHV™
Rewşa Part
Active
Packaging
Tube
Teknolocî
MOSFET (Metal Oxide)
Germahiya xebitandinê
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Pakêt / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Belavkirina hêzê (Max)
125W (Tc)
Tîpa FET
N-Channel
Taybetmendiya FET
-
Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)
1000V
Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)
10V
Vgs (Max)
±20V
Daxwaza Quote
Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.
Ez bêzarim 44757 PCS
Agahiyên Têkilî
Keywords of IXTH3N100P
IXTH3N100P pêkhateyên elektronîk
IXTH3N100P Sales
IXTH3N100P Şandevan
IXTH3N100P Distributor
IXTH3N100P Tabloya daneyan
IXTH3N100P Photos
IXTH3N100P Biha
IXTH3N100P Pêşnîyar
IXTH3N100P Bihayê herî kêm
IXTH3N100P Gerr
IXTH3N100P Kirîn
IXTH3N100P Berdan