IXYS IXTP2R4N120P MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

IXTP2R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220

Hejmara Part

IXTP2R4N120P

Çêker/Brand

IXYS

Doranî

Polar™

Rewşa Part

Active

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Pakêt / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Belavkirina hêzê (Max)

125W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

1200V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

2.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1207pF @ 25V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 7752 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB