Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.
IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Hejmara Part
IXTQ200N10T
Çêker/Brand
Doranî
TrenchMV™
Rewşa Part
Active
Packaging
Tube
Teknolocî
MOSFET (Metal Oxide)
Germahiya xebitandinê
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Pakêt / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Belavkirina hêzê (Max)
550W (Tc)
Tîpa FET
N-Channel
Taybetmendiya FET
-
Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)
100V
Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)
10V
Vgs (Max)
±30V
Daxwaza Quote
Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.
Ez bêzarim 21871 PCS
Agahiyên Têkilî
Keywords of IXTQ200N10T
IXTQ200N10T pêkhateyên elektronîk
IXTQ200N10T Sales
IXTQ200N10T Şandevan
IXTQ200N10T Distributor
IXTQ200N10T Tabloya daneyan
IXTQ200N10T Photos
IXTQ200N10T Biha
IXTQ200N10T Pêşnîyar
IXTQ200N10T Bihayê herî kêm
IXTQ200N10T Gerr
IXTQ200N10T Kirîn
IXTQ200N10T Berdan