Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

TSM061NA03CV RGG

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Hejmara Part

TSM061NA03CV RGG

Çêker/Brand

Taiwan Semiconductor Corporation

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-PowerWDFN

Supplier Device Package

8-PDFN (3x3)

Belavkirina hêzê (Max)

44.6W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

19.3nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1136pF @ 15V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 26796 PCS

Agahiyên Têkilî