Vishay Siliconix SI1012CR-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI1012CR-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Hejmara Part

SI1012CR-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Digi-Reel®

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

SC-75, SOT-416

Supplier Device Package

SC-75A

Belavkirina hêzê (Max)

240mW (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

396 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 8V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 8911 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN