Vishay Siliconix SI1025X-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI1025X-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

Hejmara Part

SI1025X-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

SOT-563, SOT-666

Hêz - Max

250mW

Supplier Device Package

SC-89-6

Tîpa FET

2 P-Channel (Dual)

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

60V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

190mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 7958 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN