Vishay Siliconix SI1058X-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI1058X-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Hejmara Part

SI1058X-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

SOT-563, SOT-666

Supplier Device Package

SC-89-6

Belavkirina hêzê (Max)

236mW (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

91 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.55V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 52626 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN