Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Hejmara Part

SI2315BDS-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Digi-Reel®

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

Belavkirina hêzê (Max)

750mW (Ta)

Tîpa FET

P-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

12V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V

Vgs (Max)

±8V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 27508 PCS

Agahiyên Têkilî