Vishay Siliconix SI4186DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Hejmara Part

SI4186DY-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Digi-Reel®

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SO

Belavkirina hêzê (Max)

3W (Ta), 6W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

35.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

3630pF @ 10V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 9970 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC