Vishay Siliconix SI4465ADY-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI4465ADY-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Hejmara Part

SI4465ADY-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SO

Belavkirina hêzê (Max)

3W (Ta), 6.5W (Tc)

Tîpa FET

P-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 29668 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC