Vishay Siliconix SI4542DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SI4542DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Hejmara Part

SI4542DY-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hêz - Max

Supplier Device Package

8-SO

Tîpa FET

N and P-Channel

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 29642 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC