Vishay Siliconix SI4972DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI4972DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Hejmara Part

SI4972DY-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Digi-Reel®

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hêz - Max

3.1W, 2.5W

Supplier Device Package

8-SO

Tîpa FET

2 N-Channel (Dual)

Taybetmendiya FET

Standard

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 29568 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC