Vishay Siliconix SI4974DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI4974DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hejmara Part

SI4974DY-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Digi-Reel®

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hêz - Max

1.1W

Supplier Device Package

8-SO

Tîpa FET

2 N-Channel (Dual)

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

6A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 9900 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC