Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SI9424BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Hejmara Part

SI9424BDY-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SO

Belavkirina hêzê (Max)

1.25W (Ta)

Tîpa FET

P-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±9V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 51961 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI9407BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC