Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Hejmara Part

SIA413DJ-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® SC-70-6

Supplier Device Package

PowerPAK® SC-70-6 Single

Belavkirina hêzê (Max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tîpa FET

P-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

12V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 8V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 17654 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70