Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Hejmara Part

SIE836DF-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

10-PolarPAK® (SH)

Supplier Device Package

10-PolarPAK® (SH)

Belavkirina hêzê (Max)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

200V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

18.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 100V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±30V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 39607 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK