Vishay Siliconix SIR618DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SIR618DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Hejmara Part

SIR618DP-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

ThunderFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® SO-8

Supplier Device Package

PowerPAK® SO-8

Belavkirina hêzê (Max)

48W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

200V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

14.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 7.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 100V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 45412 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8