Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Hejmara Part

SQS415ENW-T1_GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® 1212-8W

Supplier Device Package

PowerPAK® 1212-8W

Belavkirina hêzê (Max)

62.5W (Tc)

Tîpa FET

P-Channel

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

40V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.1 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

4825pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 17858 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A