AGM-Semi (core control source) AGM303A N-channel 30V 110A 2.8mΩ general material

AGM-Semi (core control source)

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

AGM303A

N-channel 30V 110A 2.8mΩ general material

Hejmara Part

AGM303A

Liq

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Çêker/Brand

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

DFN(5x6)

Bixçe

taping

Hejmara pakêtan

3000

Terîf

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 70W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 27nC@10V, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) General materials (low voltage MOSFET power supply, energy storage power supply etc.), Vds=30V Id=110A Rds=2.8mΩ (3.6mΩ max)? DFN5x6encapsulation;

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 91876 PCS

Agahiyên Têkilî