Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1 MOSFET N-CH 25V 32A 8SON

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 32A 8SON

Hejmara Part

BSZ013NE2LS5IATMA1

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

OptiMOS™

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-PowerTDFN

Supplier Device Package

PG-TSDSON-8-FL

Belavkirina hêzê (Max)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

25V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

32A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 12V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 24682 PCS

Agahiyên Têkilî