Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1 MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

BUZ30AHXKSA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Hejmara Part

BUZ30AHXKSA1

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

SIPMOS®

Rewşa Part

Active

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Pakêt / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

PG-TO-220-3

Belavkirina hêzê (Max)

125W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

200V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 14136 PCS

Agahiyên Têkilî