Infineon Technologies IPB011N04LGATMA1 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

IPB011N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Hejmara Part

IPB011N04LGATMA1

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

OptiMOS™

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Supplier Device Package

PG-TO263-7-3

Belavkirina hêzê (Max)

250W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

40V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 200µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

346nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

29000pF @ 20V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 23005 PCS

Agahiyên Têkilî