Infineon Technologies IPD200N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

IPD200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Hejmara Part

IPD200N15N3GATMA1

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

OptiMOS™

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

PG-TO252-3

Belavkirina hêzê (Max)

150W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

150V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 75V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 52751 PCS

Agahiyên Têkilî