Infineon Technologies IPI028N08N3GHKSA1 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

IPI028N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Hejmara Part

IPI028N08N3GHKSA1

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

OptiMOS™

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Pakêt / Case

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Supplier Device Package

PG-TO262-3

Belavkirina hêzê (Max)

300W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

80V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 270µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

14200pF @ 40V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 17180 PCS

Agahiyên Têkilî