Infineon Technologies IRF8113 MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

IRF8113

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Hejmara Part

IRF8113

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

HEXFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SO

Belavkirina hêzê (Max)

2.5W (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

17.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 17.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

2910pF @ 15V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 25631 PCS

Agahiyên Têkilî