Infineon Technologies IRF8513TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

IRF8513TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Hejmara Part

IRF8513TRPBF

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

HEXFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Cut Tape (CT)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hêz - Max

1.5W, 2.4W

Supplier Device Package

8-SO

Tîpa FET

2 N-Channel (Dual)

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

8A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

766pF @ 15V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 43918 PCS

Agahiyên Têkilî