Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SPB02N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

Hejmara Part

SPB02N60S5ATMA1

Çêker/Brand

Infineon Technologies

Doranî

CoolMOS™

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package

PG-TO263-3-2

Belavkirina hêzê (Max)

25W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

600V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 80µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 50919 PCS

Agahiyên Têkilî