Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

PMXB360ENEAZ

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Hejmara Part

PMXB360ENEAZ

Çêker/Brand

Nexperia USA Inc.

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

3-XDFN Exposed Pad

Supplier Device Package

DFN1010D-3

Belavkirina hêzê (Max)

400mW (Ta), 6.25W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

80V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 40V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 11417 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN