NXP USA Inc. PMT200EN,115 MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

PMT200EN,115

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Hejmara Part

PMT200EN,115

Çêker/Brand

NXP USA Inc.

Doranî

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

SOT-223

Belavkirina hêzê (Max)

800mW (Ta), 8.3W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

100V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 80V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 42738 PCS

Agahiyên Têkilî