ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Hejmara Part

HGTD1N120BNS9A

Çêker/Brand

ON Semiconductor

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Type Input

Standard

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hêz - Max

60W

Supplier Device Package

TO-252AA

Dema Vegerandina Berevajî (trr)

Niha - Berhevkar (Ic) (Max)

5.3A

Voltaj - Veqetandina Emîtera Berhevkar (Max)

1200V

Tîpa IGBT

NPT

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

Niha - Berhevkarê Pulsed (Icm)

Switching Energy

70µJ (on), 90µJ (off)

Gate Charge

14nC

Td (vekirin/vekêşandin) @ 25 °C

15ns/67ns

Rewşa Testê

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 43318 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA