Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

RQ3E080BNTB

MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Hejmara Part

RQ3E080BNTB

Çêker/Brand

Rohm Semiconductor

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-PowerVDFN

Supplier Device Package

8-HSMT (3.2x3)

Belavkirina hêzê (Max)

2W (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 32610 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8