Taiwan Semiconductor Corporation ES1J R3G DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

ES1J R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hejmara Part

ES1J R3G

Çêker/Brand

Taiwan Semiconductor Corporation

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

DO-214AC, SMA

Supplier Device Package

DO-214AC (SMA)

Tîpa Diode

Standard

Niha - Serastkirî ya Navîn (Io)

Voltage - Pêş (Vf) (Max) @ Ger

1.7V @ 1A

Niha - Reverse Leakage @ Vr

5µA @ 600V

Voltaj - DC Berevajî (Vr) (Max)

600V

Zûbûnî

Fast Recovery = 200mA (Io)

Dema Vegerandina Berevajî (trr)

35ns

Germahiya xebitandinê - Junction

-55°C ~ 150°C

Kapasîteya @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 20761 PCS

Agahiyên Têkilî