Taiwan Semiconductor Corporation ES3B V6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

ES3B V6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hejmara Part

ES3B V6G

Çêker/Brand

Taiwan Semiconductor Corporation

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

DO-214AB, SMC

Supplier Device Package

DO-214AB (SMC)

Tîpa Diode

Standard

Niha - Serastkirî ya Navîn (Io)

Voltage - Pêş (Vf) (Max) @ Ger

Niha - Reverse Leakage @ Vr

10µA @ 100V

Voltaj - DC Berevajî (Vr) (Max)

100V

Zûbûnî

Fast Recovery = 200mA (Io)

Dema Vegerandina Berevajî (trr)

35ns

Germahiya xebitandinê - Junction

-55°C ~ 150°C

Kapasîteya @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 16376 PCS

Agahiyên Têkilî