Texas Instruments TPS1100DG4 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

TPS1100DG4

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

Hejmara Part

TPS1100DG4

Çêker/Brand

Texas Instruments

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-40°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package

8-SOIC

Belavkirina hêzê (Max)

791mW (Ta)

Tîpa FET

P-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

15V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

2.7V, 10V

Vgs (Max)

+2V, -15V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 5992 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC