Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1,LQ MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

TK55S10N1,LQ

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Hejmara Part

TK55S10N1,LQ

Çêker/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Doranî

U-MOSVIII-H

Rewşa Part

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

175°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

DPAK+

Belavkirina hêzê (Max)

157W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

100V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

55A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 10V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 30863 PCS

Agahiyên Têkilî