Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1,S1X MOSFET N CH 60V 58A TO-220

çîn
Dabînkerê pêkhateya elektronîkî ya profesyonel

Katalogên Çêker CN ICs

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

TK58E06N1,S1X

MOSFET N CH 60V 58A TO-220

Hejmara Part

TK58E06N1,S1X

Çêker/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Doranî

U-MOSVIII-H

Rewşa Part

Active

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Pakêt / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220

Belavkirina hêzê (Max)

110W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

60V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

58A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 30V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 19033 PCS

Agahiyên Têkilî