Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL,LQ MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

TPN6R003NL,LQ

MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

Hejmara Part

TPN6R003NL,LQ

Çêker/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Doranî

U-MOSVIII-H

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-PowerVDFN

Supplier Device Package

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Belavkirina hêzê (Max)

700mW (Ta), 32W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 49803 PCS

Agahiyên Têkilî