Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

çîn
Dabînkerê pêkhateya elektronîkî ya profesyonel

Katalogên Çêker CN ICs

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

TRS8E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

Hejmara Part

TRS8E65C,S1Q

Çêker/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Doranî

Rewşa Part

Active

Packaging

Tube

Mounting Type

Through Hole

Pakêt / Case

TO-220-2

Supplier Device Package

TO-220-2L

Tîpa Diode

Silicon Carbide Schottky

Niha - Serastkirî ya Navîn (Io)

8A (DC)

Voltage - Pêş (Vf) (Max) @ Ger

1.7V @ 8A

Niha - Reverse Leakage @ Vr

90µA @ 650V

Voltaj - DC Berevajî (Vr) (Max)

650V

Zûbûnî

No Recovery Time > 500mA (Io)

Dema Vegerandina Berevajî (trr)

0ns

Germahiya xebitandinê - Junction

175°C (Max)

Kapasîteya @ Vr, F

44pF @ 650V, 1MHz

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 37462 PCS

Agahiyên Têkilî