Vishay Siliconix IRLD110 MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

IRLD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Hejmara Part

IRLD110

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tube

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Pakêt / Case

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Supplier Device Package

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Belavkirina hêzê (Max)

1.3W (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

100V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 600mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 26667 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

IRLD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP