Vishay Siliconix SI3900DV-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Hejmara Part

SI3900DV-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Digi-Reel®

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Hêz - Max

830mW

Supplier Device Package

6-TSOP

Tîpa FET

2 N-Channel (Dual)

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 7190 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP