Vishay Siliconix SI5402BDC-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SI5402BDC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hejmara Part

SI5402BDC-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

8-SMD, Flat Lead

Supplier Device Package

1206-8 ChipFET™

Belavkirina hêzê (Max)

1.3W (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

4.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 31334 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8