Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Hejmara Part

SI7900AEDN-T1-E3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Digi-Reel®

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® 1212-8 Dual

Hêz - Max

1.5W

Supplier Device Package

PowerPAK® 1212-8 Dual

Tîpa FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 19610 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8