Vishay Siliconix SIA511DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

DataSheets

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Hejmara Part

SIA511DJ-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Obsolete

Packaging

Cut Tape (CT)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Hêz - Max

6.5W

Supplier Device Package

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Tîpa FET

N and P-Channel

Taybetmendiya FET

Logic Level Gate

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

12V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 20049 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6