Vishay Siliconix SIS406DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SIS406DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Hejmara Part

SIS406DN-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® 1212-8

Supplier Device Package

PowerPAK® 1212-8

Belavkirina hêzê (Max)

1.5W (Ta)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

30V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±25V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 33651 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8