Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Hejmara Part

SIS888DN-T1-GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

ThunderFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 150°C (TA)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

PowerPAK® 1212-8S

Supplier Device Package

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Belavkirina hêzê (Max)

52W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

150V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.2V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 75V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 13230 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212