Vishay Siliconix SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

Hejmara Part

SQ2301ES-T1_GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TA)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

TO-236 (SOT-23)

Belavkirina hêzê (Max)

3W (Tc)

Tîpa FET

P-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

20V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

3.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 10V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 35739 PCS

Agahiyên Têkilî