Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3 MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Dibe ku wêne temsîl be.
Ji bo hûrguliyên hilberê li taybetmendiyan binêre.

Agahiyên Zêdetir Binêrin DataSheets

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Hejmara Part

SQD10N30-330H_GE3

Çêker/Brand

Vishay Siliconix

Doranî

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Rewşa Part

Active

Packaging

Teknolocî

MOSFET (Metal Oxide)

Germahiya xebitandinê

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Pakêt / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

TO-252AA

Belavkirina hêzê (Max)

107W (Tc)

Tîpa FET

N-Channel

Taybetmendiya FET

Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss)

300V

Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds

2190pF @ 25V

Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)

10V

Vgs (Max)

±30V

Daxwaza Quote

Ji kerema xwe hemû qadên pêwîst tije bikin û bikirtînin "RFQ bişînin", em ê di nav 12 saetan de bi e-nameyê bi we re têkilî daynin. Ger pirsgirêkek we hebe, ji kerema xwe peyam an e-nameyê ji [email protected] re bihêle, em ê di zûtirîn dem de bersiv bidin.

Ez bêzarim 42425 PCS

Agahiyên Têkilî

Berhemên Têkildar

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA